이미지 확대보기'인텔 3'는 기존 '인텔 4' 공정 대비 동일 전력 및 트랜지스터 밀도에서 성능을 18% 향상시킨 최첨단 기술이다. 특히, 초고성능 애플리케이션을 위한 1.2V 전압을 지원하며, 0.6V 미만의 저전압부터 1.3V 이상의 고전압까지 폭넓은 전압 범위에서 작동한다.
인텔은 고객 맞춤형 칩 제작을 위해 240nm 고성능 및 210nm 고밀도 라이브러리, 14층/18층/21층 메탈 스택 등 다양한 옵션을 제공한다. 현재 미국 오리건주와 아일랜드 공장에서 '인텔 3' 공정을 활용해 제온 6 프로세서를 생산 중이며, 향후 데이터센터용 칩 외에도 다양한 제품군에 적용할 계획인 것으로 알려졌다.
인텔은 '인텔 3' 기반의 파생 공정 기술도 선보일 예정이다. 실리콘 비아를 통해 기본 다이로 사용 가능한 '인텔 3T', 칩셋 및 스토리지 애플리케이션용 '인텔 3-E', AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC)용 '인텔 3-PT' 등이 개발 중이다.
이번 '인텔 3' 양산은 TSMC, 삼성전자 등 경쟁사와의 파운드리 경쟁에서 인텔의 입지를 강화하는 데 기여할 것으로 전망된다. 특히, 데이터센터 시장에서 높은 성능과 전력 효율성을 요구하는 고객들에게 매력적인 솔루션을 제공할 수 있을 것으로 기대된다.
노정용 글로벌이코노믹 기자 noja@g-enews.com
