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삼성전자-SK하이닉스, 반도체 기술 격차로 승부수 띄운다

SK하이닉스, HBM4 개발 위해 TSMC와 맞손
삼성전자는 HBM4 독자 개발…2nm이하 초미세공정 계획 당길 가능성

장용석 기자

기사입력 : 2024-06-12 16:17

경기도 화성시 삼성전자 반도체 공장에서 엔지니어들이 웨이퍼를 살펴보고 있다. 사진=삼성전자이미지 확대보기
경기도 화성시 삼성전자 반도체 공장에서 엔지니어들이 웨이퍼를 살펴보고 있다. 사진=삼성전자
삼성전자와 SK하이닉스가 글로벌 반도체 업체들과의 고대역폭메모리(HBM) 등 첨단 반도체 기술 개발 경쟁에 사활을 걸고 있다. HBM 분야에서 양사 모두 HBM4(6세대) 제품 양산을 앞당기고 파운드리(반도체 수탁생산) 분야에선 삼성전자가 2nm(나노미터·10억분의 1m) 이하 개발 일정을 당길 가능성이 제기된다. 양사 모두 기술 격차로 업계를 선도한다는 방침이다.

12일 업계에 따르면 국내 반도체 기업들은 경쟁 기업보다 앞선 기술력을 선보이기 위해 치열한 경쟁을 펼치고 있다. HBM 분야에서 업계 1위를 달리고 있는 SK하이닉스는 6세대 제품인 HBM4에서 대만의 글로벌 파운드리 기업 TSMC와 협력한다는 방침이다. TSMC의 선단공정 기술을 활용할 계획으로 2025년 HBM4 양산을 목표로 하고 있다.

삼성전자도 HBM4 양산을 추진 중으로 2025년 고객 샘플링에 들어가 2026년 양산한다는 계획이다. SK하이닉스가 TSMC와 협력하는 반면 설계와 파운드리 등 반도체 분야 대부분의 기술을 보유하고 있는 삼성전자는 독자 개발에 주력한다는 전략이다.
파운드리 부문에선 글로벌 기업들의 2nm 이하 공정 양산 시점 앞당기기가 한창이다. 미국의 인텔은 올해 안에 1.8nm 양산을 시작해 2027년 1.4nm 공정을 상용화한다고 밝혔다. TSMC는 내년 2nm 공정 양산에 돌입해 2026년 1.6nm를 양산할 예정이다.

이에 맞서 삼성전자는 내년 2nm 공정에서 양산을 시작하고 2027년 1.4nm 양산에 돌입한다는 계획이지만 다른 기업들이 개발 계획을 당기면서 제품 출시 일정이 늦춰졌다. 이를 앞당길 가능성이 높게 점쳐지고 있다.

반도체 기업들이 기술 개발에 매진하고 있는 이유는 기술 격차가 곧 기업의 생존과 직결되기 때문이다. 반도체 업계는 특성상 기술이 빠르게 변하고 최신 기술에 대한 수요가 강한 편이다. HBM 분야를 선도하고 있는 SK하이닉스가 이미 올해 물량이 품절되고 삼성전자가 올해 HBM 누적 매출 100억 달러를 돌파할 것이라고 업계에서는 보고 있다.
젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 미국 새너제이에서 열린 연례 개발자 콘퍼런스‘ GTC 2024’에 마련된 삼성전자 부스를 찾아 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 12단 HBM3E에 친필 사인을 남겼다. 사진=연합뉴스이미지 확대보기
젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 미국 새너제이에서 열린 연례 개발자 콘퍼런스‘ GTC 2024’에 마련된 삼성전자 부스를 찾아 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 12단 HBM3E에 친필 사인을 남겼다. 사진=연합뉴스

이미 국내 기업들은 시장으로부터 인정받고 있다. HBM 분야에서 SK하이닉스는 엔비디아에 유일하게 HBM을 공급하고 있다. 삼성전자도 HBM을 엔비디아에 공급하기 위해 제품을 테스트 중이다. AMD는 차세대 제품 생산에 GAA방식을 활용하겠다고 밝혀 삼성전자를 생산처로 고려하고 있음을 시사하기도 했다.

업계 관계자는 “반도체 산업의 특성상 기술이 상당히 중요하다”면서 “최신 기술을 개발하기 위해 노력을 아끼지 않고 있다”고 말했다.

한편 삼성전자는 미국 새너제이에서 12일(현지 시각) 삼성 파운드리포럼(SFF)&세이프(SAFE)포럼을 개막했다. 삼성전자는 이번 포럼에서 향후 파운드리 개발 로드맵을 제시한다는 방침이다.


장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com
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