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삼성전자, 엔비디아 테스트 실패 소식에 "순조롭게 진행 중" 반박

로이터 "발열로 아직 통과 못해"…삼성, 우려 일축

장용석 기자

기사입력 : 2024-05-24 16:12

삼성전자가 업계 최초로 개발한 HBM3E 12H D램 제품 이미지. 사진=삼성전자이미지 확대보기
삼성전자가 업계 최초로 개발한 HBM3E 12H D램 제품 이미지. 사진=삼성전자
삼성전자는 24일 "다양한 글로벌 파트너들과 고대역폭메모리(HBM) 공급을 위한 테스트를 순조롭게 진행 중"이라고 밝혔다. 일각에서 제기된 미국의 반도체 기업 엔비디아의 테스트 통과 실패 소식에 대해 삼성전자가 밝힌 공식 입장이다.

삼성전자는 이날 입장문을 통해 "현재 다수의 업체와 긴밀하게 협력하며, 지속적으로 기술과 성능을 테스트하고 있다"고 전했다. 커스텀HBM 특성상 테스트 실패가 아닌 고객사의 요구사항을 만족하기 위한 조율 과정이라는 것이다.
이는 이날 보도된 사실을 정면 반박한 것이다. 앞서 이날 로이터통신은 삼성전자가 엔비디아에 HBM을 납품하기 위한 테스트를 아직 통과하지 못했다고 보도했다.

특히 복수의 익명 소식통을 인용해 발열과 전력 소비 등이 문제가 됐다고 밝히면서 4세대 제품인 HBM3와 5세대 제품인 HBM3E에서 이러한 문제가 발생하고 있다고 전했다.

현재 삼성전자는 지난해부터 엔비디아의 HBM3와 HBM3E 제품을 납품하기 위한 테스트를 진행 중이다.

삼성전자는 HBM3E 등 차세대 HBM 시장 선점을 위해 총력을 기울이고 있는 중으로 지난달 HBM3E 8단 제품의 초기 양산을 시작한 데 이어 2분기 내에 12단 제품 양산을 목표로 하고 있다.
지난 21일에는 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문장을 경계현 사장에서 전영현 부회장으로 전격 교체하는 등 반도체사업 분위기 쇄신에 나서고 있다.


장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com
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