삼전·닉스에 차세대 D램 도전장 낸 中 CXMT…우려와 과장 분석 엇갈려

중국 최대 D램 업체 창신메모리(CXMT)가 차세대 D램 구조로 꼽히는 ‘4F²(포에프스퀘어)’ 기술을 적용한 서버용 제품을 연내 선보이겠다고 선언했다. 범용 D램으로 덩치를 키워 온 중국 업체가 수익성 높은 서버 시장을 정조준하면서 삼성전자와 SK하이닉스를 향한 추격 속도도 한층 빨라질 것 아니냐는 우려도 나온다.
13일 업계에 따르면 CXMT의 차오칸위 사장은 지난 9~10일 중국 상하이에서 열린 집적회로·칩렛 콘퍼런스에서 4F² 셀 구조를 적용한 DDR5 서버용 메모리(RDIMM)를 연말까지 내놓겠다고 밝혔다. 이날 그는 하이브리드 본딩 기술도 함께 소개했다. 다만 구체적인 제품 사양과 출시 일정, 실제 양산 여부는 공개되지 않았다.

4F²는 D램 셀 하나가 차지하는 면적을 나타내는 단위다. F는 공정으로 구현할 수 있는 최소 선폭을 뜻하며, 4F²는 셀 면적이 F의 네 배라는 의미다. 현재 상용 D램 대부분은 6F² 구조를 쓰는데, 4F²로 바꾸면 셀 면적이 약 33% 줄어 같은 크기 칩에 더 많은 데이터를 담을 수 있다. 업계에서는 셀 집적도가 30~50% 높아질 수 있다고 본다. 반면 셀이 작아질수록 누설 전류와 간섭이 커져 공정 난도가 크게 오르고, 수율 확보가 최대 관건으로 꼽힌다.

한국 업체에는 적지 않은 위협이다. SK하이닉스는 지난해 4F² 로드맵을 공개했고, 삼성전자는 10나노 미만 D램에 이 구조를 적용해 2028년 양산하는 것을 목표로 하고 있다. 발표 일정만 보면 CXMT가 약 2년 앞서는 셈이다. 게다가 CXMT는 최근 5세대 D램 플랫폼 ‘G5’ 양산에 들어갔고, 세계 D램 시장 점유율도 10%까지 올라섰다. 연말에는 3개 300㎜ 팹에서 월 35만장 안팎의 생산능력을 갖출 전망이어서, 기술과 물량 양면에서 압박이 커질 수밖에 없다. 특히 AI 서버 수요로 수익성이 높아진 서버 D램까지 중국산이 파고들면 한국 업체의 이익 구조도 흔들릴 수 있다.


외신 평가는 주목과 신중론이 엇갈린다. 미국 IT 매체 트윅타운은 CXMT가 삼성전자보다 2년 앞설 수 있다고 전하면서도, 이 방식은 비용이 많이 들고 대량 양산까지는 시간이 필요하다고 짚었다. 독일 IT 매체 이고르스랩은 발표된 일정이 검증된 양산을 뜻하지는 않는다며 당장의 기존 업체 추월 해석을 경계했다. 다른 매체들도 양산 수율과 신뢰성, 고객 채택, 사용 장비가 공개되지 않았다는 점을 한계로 꼽았다. 반면 중국 관영 글로벌타임스는 전문가를 인용해 이번 발표를 서버 메모리 시장 진출의 돌파구로 평가했다. 규모를 먼저 키운 뒤 고급 시장으로 올라가는 중국 업체의 경로에 따라 다른 D램 업체에 실질적인 압박이 될 것이라는 분석이다.

다만, 업계에서는 연내 제품이 나오더라도 서버 고객사의 인증을 거쳐 대규모로 공급되기까지는 시간이 필요하다는 시각이 지배적이다. CXMT의 이번 발표가 일종의 기술 과장 마케팅이라는 지적이다.

업계 관계자는 "CXMT의 선언에서 구체적인 내용과 드러난 실질적인 성과가 없어 평가 자체가 불가하다"며 "이번 발표와 대량 생산, 수율에 따른 안정적인 공급망 구축은 별개 사안으로 당장 한국의 D램 산업이 따라잡힐 것이라고 분석하는 건 상황에 맞지 않다"고 설명했다.
이 관계자는 "포에프스퀘어는 이미 우리 업체들도 개발하고 청사진을 보여준 제품으로 기술적으로 늦거나 뒤처져 있지 않다"며 "기술력이 부족해서가 아니라 제조 원가와 시장성을 보면서 제품화 시점을 조율하는 것"이라고 덧붙였다.

물론, 이번 선언이 곧바로 시장 판도를 바꾸지는 못하더라도 기술 격차가 빠르게 좁혀지고 있다는 신호로는 읽힌다. 한국 업체가 고대역폭메모리(HBM) 등 인공지능(AI) 메모리 우위를 지키면서 4F²와 3D D램 같은 차세대 구조 전환 속도를 끌어올려야 한다는 지적이 나오는 이유다.


박상휘 글로벌이코노믹 기자 shpark03@g-enews.com