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이미지 확대보기삼성전자가 미국 텍사스주 테일러 공장에서 차세대 2나노 공정 시험생산에 돌입하며 글로벌 파운드리 경쟁에서 대만 TSMC를 앞지를 가능성이 제기됐다.
삼성전자의 2나노 게이트올어라운드(GAA) 공정 수율이 약 60% 수준에 도달하면서 시험생산에 착수할 준비를 마쳤다고 Wccftech가 5일(현지시각) 보도했다.
Wccftech에 따르면 삼성전자는 기존 4나노 생산을 목표로 건설된 테일러 공장을 2나노 생산 거점으로 전환하는 작업을 진행 중이다. 일부 시설은 임시사용승인(TCO)을 받아 엔지니어 투입과 장비 설치가 본격화된 상태다.
네덜란드 반도체 장비업체 ASML은 극자외선(EUV) 장비 설치를 지원하기 위해 현장에 인력을 파견한 것으로 전해졌다. EUV 장비는 2나노 GAA 공정 양산에 필수적인 핵심 설비다.
◇ TSMC 美 투자 제약 속 삼성 ‘기회’
TSMC는 미국 내에서 2나노 공정 양산 확대에 신중한 입장을 유지하고 있어 삼성전자에는 기회가 될 수 있다는 관측이 나온다.
현재 TSMC는 3나노 공정에서도 생산능력 부족 문제를 겪고 있는 것으로 알려졌다. 이에 따라 일부 고객들이 삼성전자 쪽으로 발주를 검토하는 움직임도 감지된다.
삼성전자는 이미 미국 내 주요 고객사를 확보한 상태로 테슬라를 비롯해 팹리스 기업과 클라우드 서비스 기업들로부터 2나노 공정 수주를 확보한 것으로 전해졌다.
◇ 2027년 양산 목표…수율 안정화 관건
시험생산이 성공적으로 진행될 경우 테일러 공장은 올해 내 본격 가동에 들어가고 오는 2027년에는 2나노 공정 양산이 가능할 전망이다.
다만 경쟁력 확보를 위해서는 수율 안정화가 핵심 과제로 꼽힌다. 수율이 높아질수록 웨이퍼 생산 단가를 낮출 수 있어 가격 경쟁력 확보에도 유리하다.
업계에서는 삼성전자가 수율 개선에 성공할 경우 가격 인하 전략을 통해 TSMC를 압박할 가능성도 제기하고 있다.
이번 시험생산 착수는 미국 내 첨단 반도체 생산 확대라는 점에서도 의미가 크다. 미국 본토에서 2나노 공정이 가동될 경우 글로벌 반도체 공급망 재편에도 영향을 줄 것으로 보인다.
김현철 글로벌이코노믹 기자 rock@g-enews.com
