최고 등급 스폰서로 2년 연속 참가…HBM5·CXL 메모리·차세대 SSD 공개
속도·메모리 확장성·데이터 영속성 강조…2나노 웨이퍼·Groq 시스템도 전시
속도·메모리 확장성·데이터 영속성 강조…2나노 웨이퍼·Groq 시스템도 전시
이미지 확대보기삼성전자는 지난해에 이어 올해도 최고 등급인 다이아몬드 스폰서로 참가했다. 올해 주제는 'AI 시스템 설계: 혁신, 함께(Architecting AI Systems - Innovations. Together.)'다. 삼성전자는 HBM5와 맞춤형 HBM 같은 고성능 메모리, CXL 기반 메모리 확장 기술, 차세대 SSD를 활용한 데이터 저장·관리 기술을 선보였다.
심호준 삼성전자 AE팀 상무는 12일 이 행사의 경영진 세션에서 'AI 시대를 위한 혁신 확장'을 주제로 발표했다. 심 상무는 AI 모델이 커지고, AI가 답을 만들어내는 추론 과정에서 처리해야 하는 데이터와 KV 캐시(AI가 이전 계산 결과를 임시로 저장해 두는 공간) 용량이 늘면서 메모리의 데이터 전송 속도(대역폭)뿐 아니라 용량 확장과 데이터 저장·관리 기술도 중요해졌다고 설명했다.
삼성전자는 이에 대응하는 기술 방향으로 △속도(Speed) △메모리 확장성(Memory Expansion) △데이터 영속성(Persistence) 등 세 가지를 제시했다. 속도 부문에서는 HBM5와 고객 맞춤형 HBM, 메모리 안에서 일부 연산을 처리하는 PIM 등으로 데이터 처리 속도와 연산 효율을 높인다. 메모리 확장성은 삼성전자가 만든 CXL 메모리 모듈 CMM-D 등을 활용해 AI 시스템의 메모리 용량을 늘리고 관리 효율을 개선하는 방향이다. CXL은 서버가 외부 메모리를 추가로 연결해 쓸 수 있게 하는 규격이다. 데이터 영속성은 차세대 SSD와 QLC, FDP 같은 저장 기술로 대규모 AI 데이터를 안정적으로 저장하고 관리하는 것을 뜻한다.
삼성전자는 개별 제품의 성능을 높이는 데서 나아가 CPU, GPU, 메모리, 스토리지 등 시스템 전체를 함께 최적화하기 위해 고객·파트너사와 개발 초기부터 공동 설계와 기술 검증을 늘리고 있다고 밝혔다.
삼성전자는 AMD와 CXL 기반 메모리 확장 솔루션을 공동 시연한다. AI 에이전트가 늘면서 추론에 필요한 데이터와 메모리가 커지는 만큼, CXL로 기존 시스템의 메모리 용량 한계를 보완하는 방안을 보여주겠다는 것이다. 여러 시스템이 메모리를 나눠 쓰는 CMM-D 기반 메모리 풀링 기술도 선보인다.
전시 공간은 'Tokenization Solutions'와 'KV-Cache Solutions' 두 곳으로 꾸렸다. 앞쪽에는 HBM4E, HBM5, 맞춤형 HBM 콘셉트 목업, LPDDR5X-PIM과 함께 2나노 GAA 웨이퍼, Groq LPU 웨이퍼, 'NVIDIA Groq 3 LPX' 시스템 등을 놓는다. 삼성전자는 이를 통해 메모리부터 파운드리 공정까지 다루는 기술과 글로벌 AI 기업과의 협업 사례를 소개한다고 밝혔다. 뒤쪽에는 CXL 메모리, 기업용 SSD, KV 캐시·스토리지 최적화 기술이 들어간다.
삼성전자는 고객이 상용화 전 기술을 검증할 수 있는 'Samsung MAX Lab(Memory Application eXperience Lab)'과 오픈소스 개발·표준화 활동을 맡는 GOST(Global Open-ecoSystem Team)도 소개했다. MAX Lab에서는 PIM, CMM-D, 차세대 SSD 등을 실제 AI 환경에서 평가하고 고객 시스템에 맞춰 설계할 수 있다.
삼성전자는 올해 3월 엔비디아 GTC, 6월 대만 COMPUTEX, 8월 미국 FMS 등에서도 HBM4E, SOCAMM2, 차세대 3D 메모리 구조 등을 잇달아 공개했다. AMD는 지난 3월 삼성전자와 차세대 AI 메모리·컴퓨팅 기술 협력 확대를 위한 업무협약을 맺었다. 삼성전자에 따르면 리사 수 AMD 최고경영자(CEO)는 지난 7일 방한 중 메모리·파운드리 분야 협력 기회를 계속 찾고 있다고 말했다.
삼성전자는 메모리 시장 지위도 설명했다. 시장조사기관 카운터포인트리서치에 따르면 올해 2분기 글로벌 D램 시장에서 삼성전자는 매출 기준 점유율 39%로 1위였고, SK하이닉스와 마이크론은 각각 26%, 25%였다. 트렌드포스에 따르면 같은 기간 낸드 시장 점유율은 삼성전자가 29.3%로 1위였다. 옴디아는 올해 삼성전자의 D램 생산능력을 300㎜ 웨이퍼 기준 연간 약 817만5000장으로 전망했다. SK하이닉스(약 666만 장)와 마이크론(약 360만 장)을 웃도는 규모다.
유덕규 글로벌이코노믹 기자 udeok@g-enews.com













