SK하이닉스, 차세대 스토리지 HBF 표준 규격 공개…375단 낸드도 첫 선

SK하이닉스가 샌디스크와 함께 차세대 스토리지 기술인 고대역폭 플래시 메모리(HBF)의 첫 표준 규격을 공개했다고 4일 밝혔다.
이번 발표는 현지시간 4일부터 6일까지 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션 센터에서 열리는 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026' 개막에 맞춰 이뤄졌다.

SK하이닉스는 이번 행사에서 키노트 연설과 패널 토의를 통해 HBF를 AI 시대의 메모리 병목을 풀어낼 핵심 기술로 소개할 계획이다.

HBF는 (고대역폭메모리)HBM과 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 사이에 놓이는 새로운 메모리 계층이다. HBM처럼 데이터를 빠르게 주고받으면서도, 낸드를 기반으로 해 용량을 크게 키울 수 있다.
이번 규격은 지난해 8월 샌디스크와 HBF 표준화 협력에 나서고 올해 2월 컨소시엄을 출범한 지 약 6개월 만에 내놓은 첫 결과물이다. 용량은 낸드 다이를 8단과 16단으로 쌓는 두 가지 스택 구성을 기준으로 최대 512GB까지 정의했다. 대역폭은 세 등급으로 나눠 약 0.4TB/s에서 3.0TB/s까지 구현할 수 있도록 규정했다.

주목할 점은 HBF와 프로세서를 잇는 연결 방식이다. 업계 표준인 UCIe(표준 인터페이스 규격)를 채택해, GPU·CPU 등 종류가 다른 프로세서에도 HBF를 유연하게 연결해 쓸 수 있는 기반을 마련했다.

이 밖에도 △연결 인터페이스 및 전기적 특성 △HBF 다이 스택 공정의 신뢰성 및 패키징 가이드 △데이터 입출력을 위한 소프트웨어 사용 지침 등이 담겼다.

규격 공개는 세계 최대 개방형 데이터센터 기술 협력체인 OCP(Open Compute Project)를 통해 이뤄져, 특정 기업을 넘어 업계 전체가 함께 활용할 수 있는 개방형 표준으로 자리 잡게 됐다는게 SK하이닉스의 설명이다.
이와 함께 SK하이닉스는 FMS 2026 기간 동안 전시 부스를 운영하며, 파트너십 존과 차세대 메모리 기술 전시 공간 등을 선보인다.

특히 이번 전시에서는 SK하이닉스가 개발을 진행 중인 10세대(V10) 375단 4D 낸드의 웨이퍼와 제품이 처음으로 공개된다.

375단 4D 낸드는 이전 세대보다 전력 대비 성능을 2.5배 높인 것이 특징으로, 전력 효율과 성능을 동시에 요구하는 데이터센터 등 AI 인프라 환경에 최적화됐다. 회사는 내년 초 이를 기반으로 한 고성능·고용량 eSSD 양산에 착수해 AI 시장에서의 낸드 리더십을 한층 강화할 계획이다.

김천성 SK하이닉스 부문장(Solution개발)은 "AI 활용이 빠르게 확산되면서 데이터 처리 구조 전반의 재설계가 요구되는 시점"이라며 "HBF를 통해 메모리와 스토리지 간 경계를 확장하고, 시스템 전반의 효율을 높이는 새로운 아키텍처 구현에 기여하겠다"고 말했다.

박상휘 글로벌이코노믹 기자 shpark03@g-enews.com