삼성전자, 캐파 확대나 생산 비중 조정 고려…이익 높은 제품 생산할 것
DDR5, 가격 상승에 2026년 HBM3E 마진 상회 전망…D램이 생산효율↑
삼성전자, 평택캠퍼스 P4 가동 준비 중…P5·P6까지 언제든 생산확대 가능
DDR5, 가격 상승에 2026년 HBM3E 마진 상회 전망…D램이 생산효율↑
삼성전자, 평택캠퍼스 P4 가동 준비 중…P5·P6까지 언제든 생산확대 가능
이미지 확대보기4일 업계에 따르면 삼성전자는 지난주 진행된 올해 3분기 실적 발표를 통해 향후 캐파 확대나 비중 조정을 고려하고 있다고 전했다. HBM에 집중하고 있는 SK하이닉스와 달리 이익이 높은 제품의 비중 확대나 생산 확대 가능성도 배제하지 않고 있다는 것이다.
삼성전자가 D램 생산 확대나 생산 비중 확대 가능성도 열어둔 이유는 D램 가격이 지속해서 상승하면서 HBM3E의 마진을 넘어설 가능성이 제기됐기 때문이다. KB증권은 최근 보고서에서 "컨벤셔널(범용) D램 수요 급증으로 2026년 DDR5 마진이 HBM3E를 웃돌 것으로 전망된다"고 내다봤다. 삼성전자로서는 생산이 까다로운 HBM보다 D램 생산이 훨씬 효율적이다.
삼성전자는 SK하이닉스보다 상대적으로 캐파 확대에 용이하다. SK하이닉스가 기존 생산시설을 HBM 생산시설로 전환하는 방법을 통해 HBM 캐파를 늘리는 것과 달리 삼성전자는 평택캠퍼스에 P5(페이즈5)와 P6 용지를 보유하고 있다. 부지 매입이라는 작업이 생략되는 만큼 생산능력 확대를 원할 경우 빠르게 추진할 수 있다.
이미지 확대보기평택캠퍼스 P4 가동을 최대한 당기고 있는 삼성전자는 내년부터 본격 가동해 HBM4 등 10나노급(1c) D램 생산에 집중한다는 방침이다.
삼성전자가 D램 전 제품과 낸드 등의 제품 말고도 파운드리 서비스도 엔비디아에 제공할 예정이라는 점은 삼성전자의 장점이 잘 드러나는 부분이다. 삼성전자가 메모리 반도체를 비롯해 파운드리까지 사실상 반도체 분야에서 전 사업을 전개 중인 만큼 엔비디아로서는 삼성전자에서 공급망 우려 없이 제품 생산이 가능하다.
특히 삼성 파운드리사업부가 2㎚(나노미터, 10억분의 1m) 공정 기술까지 보유하고 있어 엔비디아가 TSMC의 대안으로 활용할 가능성도 배제할 수 없다. 최근 TSMC는 2~5㎚ 첨단 공정을 대상으로 3~10% 수준의 가격 인상을 타진 중인 것으로 전해졌다.
SK하이닉스가 HBM4부터 TSMC의 공정을 이용한다는 점은 SK하이닉스의 마진 감소로 이어질 가능성도 높다. 업계 관계자는 "SK하이닉스가 TSMC의 선단 공정을 이용하기 시작하면 마진이 감소할 수 있다"면서 "삼성전자는 파운드리 기술을 보유하고 있어 마진 측면에서 유리하다"고 말했다.
장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com












