이미지 확대보기SK하이닉스는 “10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난도가 극도로 높아졌으나 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술 한계를 돌파해냈다”며 “연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것”이라고 강조했다.
SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다. 이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이고 업계 최고 성능 D램으로 인정받는 SK하이닉스 1b의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있었다고 설명했다.
또 극자외선(EUV) 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상했다.
고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 작동 속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로 이전 세대 대비 11% 빨라졌다. 전력 효율도 9% 이상 개선됐다. SK하이닉스는 데이터센터 등 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 SK하이닉스 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있다고 전망했다.
김종환 SK하이닉스 DRAM 개발담당(부사장)은 “최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 △HBM △LPDDR6 △GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것”이라며 “앞으로도 당사는 D램 시장 리더십을 지키면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 인공지능(AI) 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다”고 말했다.
장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com
