中 ‘선전 반도체 엑스포(IICIE 2026)’ 9일 개막...차세대 3D 집적·SiC 총집결

미국의 첨단 반도체 제조 장비 수출 통제 수위가 날로 높아지는 가운데, 중국 첨단 IT·하드웨어의 심장부인 광둥성 선전에서 서방의 기술 봉쇄를 정면 돌파하기 위한 반도체 혁신 기술 교류의 장인 ‘2026 국제 집적회로 혁신 엑스포(IICIE 2026)’가 오는 9월 9일 개막한다.
네덜란드 ASML의 극자외선(EUV) 노광장비 도입이 원천 차단된 상황에서, 기존 성숙 공정 칩들을 수직·수평으로 이어 붙여 초고성능 AI 연산 능력을 구현하는 ‘3D 이종 집적(Heterogeneous Integration)’ 첨단 패키징과 전기차 및 전력망의 핵심 부품인 ‘탄화규소(SiC) 전력 반도체’를 핵심 무기로 내세워 기술 자립화의 활로를 모색한다는 전략이다.

9월 6일(현지시각) 국제 집적회로 혁신 엑스포 조직위원회 공식 브리프에 따르면, 이번 행사는 9월 9일부터 11일까지 사흘간 중국 광둥성 선전 세계전시컨벤션센터(Shenzhen World Exhibition &Convention Center)에서 대규모로 개최된다.

이번 엑스포에는 팹리스(설계), 파운드리(위탁생산), 후공정(OSAT), 반도체 소재·부품·장비 등 글로벌 밸류체인에 걸친 500개 이상의 선도 반도체 기업들이 집결해 최신 기술과 양산 솔루션을 대거 선보일 예정이다.

이번 엑스포의 최대 관전 포인트는 미세화 공정의 물리적 한계를 우회하는 첨단 어드밴스드 패키징 기술이다.

미국의 포괄적 제재로 7나노미터(㎚) 이하 초미세 선폭 구현에 필수적인 첨단 노광장비 도입이 가로막힌 중국 반도체 업계는, 패널레벨패키징(FOPLP), 칩렛(Chiplet), 3D 스태킹(적층) 등 후공정 패키징 혁신을 통해 전체 칩 시스템의 연산 효율을 극대화하는 방안에 사활을 걸고 있다.

엑스포 현장에서는 복수의 칩렛을 실리콘 인터포저나 고밀도 기판 위에 미세 배선으로 결합하는 고성능 3D 이종 집적 공법이 대거 시연된다.
이를 통해 AI 가속기 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 칩 제조에서 초미세 공정 못지않은 데이터 전송 대역폭과 에너지 효율을 구현할 수 있는 실증 모델들이 공개될 예정이다.


미세공정 경쟁에서 자유로우면서도 전기차 시대를 맞아 폭발적인 수요를 구가하고 있는 화합물 전력 반도체 분야의 양산 기술도 전면에 배치된다.

특히 800V 고전압 급속 충전 시스템을 채택한 차세대 전기차의 핵심 부품인 구동 인버터용 고순도 탄화규소(SiC) 8인치(200㎜) 단결정 잉곳과 웨이퍼 기판 가공 기술이 집중 소개된다.

중국은 전 세계 최대의 전기차 내수 시장과 강력한 배터리 생태계를 보유하고 있는 만큼, 차량용 전력 반도체 밸류체인을 완벽히 국산화함으로써 전동화 패권을 더욱 공고히 하겠다는 복안이다.

이번 행사는 단순한 기술 전시를 넘어 중국 국산 반도체 공급망의 완전한 '내재화와 표준화'를 선언하는 정책적 분수령이 될 전망이다.

주최 측은 엑스포 기간 중 국내 유력 팹리스, 파운드리, 공정 장비 제조사들이 대거 참여하는 ‘자국산 반도체 장비·부품 표준화 협의체’를 공식 발족한다고 밝혔다.

그동안 외산 부품에 맞춰져 있던 장비 규격과 소재 인터페이스를 자국 기술 표준으로 통일해 국산 부품의 채택 속도를 획기적으로 끌어올리고, 부품 단위에서부터 서방의 공급망 교란 위험을 원천 차단하겠다는 포석이다.

선전에서 막을 올리는 IICIE 2026은, 향후 ‘서방의 정밀 노광장비 수출 통제에 맞서 첨단 패키징(3D 이종 집적)과 화합물 전력 반도체(SiC)라는 우회로를 통해 자립형 반도체 생태계를 완성하려는 중국 반도체 산업의 거대한 기술적 반격’인 동시에 ‘독자 표준 협의체 구축을 통해 부품 단위까지 공급망 자립도를 극대화하려는 중국 기술 굴기의 중대한 시험대’로 작용할 전망이다.


신경원 글로벌이코노믹 기자 shincm@g-enews.com