이미지 확대보기김동원 리서치본부장은 "올 4분기 현재 D램 공급 부족이 심화하고 있다"며 "삼성전자가 1z D램 이하 범용 생산라인을 1b D램으로 공정 전환할 것으로 예상돼 내년 D램 비트 출하량 개선을 통한 서프라이즈(깜짝 실적)가 기대된다"고 전망했다.
이어 "전체 D램 캐파(생산능력)의 70%를 범용 D램 생산에 할당하고 있는 만큼 내년 더블데이터레이트(DDR)5 마진이 5세대 고대역폭메모리(HBM3E)를 웃돌 것"이라며 "오는 2027년까지 D램 시장이 공급자 우위로 재편될 것"이라고 부연했다.
이미지 확대보기삼성전자는 적어도 향후 2년간 범용 D램과 HBM의 가격 협상력을 동시에 높일 것으로 보인다. 내년 엔비디아 차세대 인공지능(AI) 가속기 루빈에 탑재될 삼성전자의 HBM4(6세대)는 현재 양호한 생산 수율과 제품 양산이 이뤄지고 있다.
김 본부장은 "삼성전자 HBM4는 1c D램과 4nm 로직다이를 적용해 엔비디아 HBM4에서 최고 속도와 저전력 성능을 동시 구현해 공급사 중 가장 높은 단가 책정이 기대된다"며 "향후 재설계가 필요 없는 것으로 판단돼 엔비디아가 요구하는 스펙 상향과 물량 확대를 동시에 충족할 것"이라고 전망했다.
아울러 "오는 2027년 양산 예정인 HBM4E(7세대)의 경우 속도 상향과 생산성 개선을 위해 1c 공정을 필수 적용해야 하는 만큼 평택 P4 공장에서 1c D램 캐파 증설만을 통해 선제적 대응이 가능하다"고 분석했다.
삼성전자의 내년 HBM 출하량을 전년 대비 2.5배 증가할 것으로 예상했다. 이에 따라 영업이익은 전년보다 108% 급증한 82조원으로 사상 최대치를 기록할 것으로 전망했다.
김은진 글로벌이코노믹 기자 happyny777@g-enews.com












