이미지 확대보기삼성 9세대 V낸드는 독보적인 '채널 홀 에칭' 기술을 활용해 더블 스택 구조로 업계 최고 단수를 구현해냈다. 채널 홀 에칭 기술은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술이다. 특히 이번 QLC 9세대 V낸드는 셀과 페리의 면적을 최소화해 이전 세대 QLC V낸드 대비 약 86% 증가한 업계 최고 수준의 ‘비트 밀도(단위 면적당 저장 비트수)’를 자랑한다.
통상 V낸드의 적층 단수가 높아질수록 층간, 층별 셀 특성을 균일하게 유지하는 것이 더욱 중요하다. 이에 따라 삼성전자는 '디자인드 몰드' 기술을 활용했다. '디자인드 몰드'란 셀 특성 균일화, 최적화를 위해 셀을 동작시키는 WL(트랜지스터의 작동을 담당하는 배선)의 간격을 조절해 적층하는 기술이다. 데이터 보존 성능을 이전 제품보다 약 20% 높여 제품 신뢰성을 향상시켰다.
또 셀의 상태 변화를 예측해 불필요한 동작을 최소화하는 '예측 프로그램 기술' 혁신을 통해 이전 세대 QLC 제품 대비 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 개선했다. 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 비트라인(BL)만 센싱해 전력 소모를 최소화한 '저전력 설계 기술'을 통해 데이터 읽기·쓰기 소비 전력도 각각 약 30%, 50% 감소했다.
삼성전자는 브랜드 제품을 시작으로 향후 △모바일 UFS △PC △서버SSD 등 QLC 9세대 V낸드 기반 제품 응용처를 점차 확대할 계획이다.
허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 부사장은 "9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드 또한 양산에 성공함으로써 AI용 고성능, 고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 갖췄다"며, "최근 AI향으로 수요가 급증하고 있는 기업용 SSD 시장에서의 리더십이 더욱 부각될 것"이라고 밝혔다.
장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com
