CXMT, 4F² DDR5 RDIMM 연내 출시... 삼성전자에 2년 앞서

중국 메모리 반도체 기업 창신메모리가 차세대 메모리 셀 구조 기반의 서버용 제품을 2026년 말 선보인다. 삼성전자가 같은 기술을 2028년에 도입할 계획인 점을 감안하면, 두 기업 사이의 일정 차이는 약 2년이다.
IT 전문 매체 Wccftech는 2026년 10월 10일(현지시각) 차오캉위 CXMT 사장이 상하이에서 열린 제4회 집적회로·칩렛 콘퍼런스에서 이 같은 계획을 발표했다고 보도했다. 이번 일정 단축은 글로벌 메모리 반도체 공급망에 새로운 기술 경쟁 구도를 형성한다.


차오캉위 사장은 이번 콘퍼런스에서 4F² 메모리 셀 아키텍처를 적용한 DDR5 RDIMM 제품을 2026년이 끝나기 전에 출시하겠다고 밝혔다. RDIMM은 중앙처리장치에서 전달되는 신호를 정확히 한 클록 주기만큼 유지하는 하드웨어 버퍼다. 전기 부하를 줄여 서버 운영자가 하나의 메인보드에 더 많은 고용량 메모리 모듈을 꽂도록 돕는다.
4F² 공정은 메모리 셀을 구성하는 트랜지스터 하나와 커패시터 하나를 수직으로 쌓는 설계 방식이다. 이 구조로 전환하면 셀 하나의 점유 면적이 최소 형상 크기의 제곱에 4를 곱한 정사각형 형태로 줄어든다.

비트라인 2개와 워드라인 2개로 구성되는 이 구조는 기존 6F² 대비 같은 형상 크기에서 셀 면적을 약 33% 줄이며, 구조 변경만으로 D램 칩의 집적도를 30에서 50% 높인다.

CXMT는 2021년 관련 논문을 처음 발표한 이후 해당 기술을 연구해 왔으며, 첫 구현은 15나노미터급 G5 D램 공정에서 4F²의 부분 파생 형태로 적용될 가능성이 높다고 Wccftech는 분석했다. G5 공정은 자기정렬쿼드러패터닝(SAQP) 기술을 핵심 제조 단계에 활용한다.


CXMT는 현재 300밀리미터 웨이퍼 팹 3곳을 운영하며 올해 말 기준 월 30만 장의 생산 능력을 확보할 계획이다. 각 팹의 생산 능력은 월 약 10만 장 수준이며, 2026년 말에는 고대역폭 메모리 전용 생산 능력도 월 5만 장 규모로 갖춘다. 상하이와 허페이에 신규 팹 2곳을 추가로 건설 중이며, 완공 시 전체 생산 능력은 월 60만 장으로 늘어난다.
Wccftech는 이 같은 증설 속도를 근거로 CXMT가 2030년까지 마이크론을 생산 물량에서 앞지를 가능성이 있다고 보도했다. 미세화 한계를 극복하기 위해 하이케이 메탈게이트 기술도 도입해 실리콘 기반 절연체를 산화하프늄 소재로 교체하고 있다.

한편 삼성전자는 4F² 도입 시 메모리 셀과 주변 회로를 별도 웨이퍼에서 각각 제조한 뒤 하이브리드 본딩으로 결합하는 방식을 쓸 것으로 알려졌다. 이 공정은 D0a로 불리는 첫 번째 10나노미터 이하 D램 제조 공정으로, 2028년 상용화를 목표로 한다. 하이브리드 본딩 공정의 높은 비용 구조로 인해 초기 제품 가격이 상당한 수준을 형성할 것으로 예상된다.


CXMT가 4F² 아키텍처 도입 시기를 앞당기고 생산 능력을 대폭 확대하는 움직임은 국내 메모리 반도체 산업의 기술 및 원가 경쟁 압박을 가중시키는 요인이다.
Wccftech가 보도한 내용에 따르면, CXMT는 4F² 기반 제품을 연내 출시하고 생산량을 대폭 늘릴 계획이다. 삼성전자와 에스케이하이닉스는 차세대 D램 미세 공정 및 서버용 제품 포트폴리오를 다변화하는 과정에서 중국 업체의 가격 경쟁력과 물량 공세에 대응해야 하는 공급망 환경에 놓인다.

삼성전자의 4F² 도입 시점인 2028년까지 기술 격차 방어와 원가 절감 구조 확보가 주요 과제로 작용한다. 단기적으로 CXMT의 증설 물량이 글로벌 메모리 시장의 가격 하방 압력으로 작용할 수 있으며, 중장기적으로는 서버용 RDIMM과 고대역폭 메모리 시장에서의 점유율 각축전이 심화될 수 있다. 단, 글로벌 장비 수급 차질이나 중국 내 반도체 팹 가동 일정에 변동이 생길 경우에는 이 성장이 제약을 받을 수 있다.


김주원 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com