삼성전자 '엑시노스 2700', 2나노 공정 탑재…성능 40% 급등

삼성전자가 2027년 출시를 목표로 개발 중인 차세대 애플리케이션프로세서(AP) '엑시노스 2700'(코드명 울리시스)에서 현재 모델 대비 성능 40% 향상을 달성한다. 테크 전문매체 Wccftech는 전날(현지시간) 삼성이 2나노 SF2P 공정과 ARM 최신 C2 코어를 결합해 발열 문제를 해결하고 퀄컴 칩 의존도를 낮추는 전략에 나선다고 보도했다.

엑시노스 2700은 삼성 파운드리의 2세대 2나노 공정인 SF2P를 활용한다. SF2P는 전작 SF2 공정 대비 성능이 12% 높아지고 전력 소비는 25% 줄어든다. 게이트올어라운드(GAA) 방식의 3차원 트랜지스터 구조로 게이트가 채널을 완전히 둘러싸 정전기 제어 능력이 개선됐다.

프로세서 코어는 ARM의 차세대 C2 시리즈를 채택한다. ARM은 최근 명명 규칙을 변경해 'Cortex' 표기를 삭제했으며, 엑시노스 2700에는 C2-Ultra와 C2-Pro 코어가 탑재될 전망이다. 전작 엑시노스 2600이 3.90GHz 동작 C1-Ultra 코어 1개, 3.25GHz C1-Pro 코어 3개, 2.75GHz C1-Pro 코어 6개로 구성된 데 비해, 엑시노스 2700은 최대 클럭이 4.20GHz로 높아진다.

Wccftech는 C2 코어 활용으로 명령어당 사이클(IPC) 성능이 35% 향상되고, 긱벤치6 기준 싱글코어 4800점, 멀티코어 1만5000점을 기록할 것으로 분석했다. 이는 엑시노스 2600 대비 각각 40%, 30% 상승한 수치다.


엑시노스 2700의 핵심 변화는 패키징 기술이다. 삼성은 FOWLP-SbS(팬아웃 웨이퍼 레벨 패키징-사이드 바이 사이드) 방식을 채택해 DRAM과 AP에 통합 히트패스 블록(HPB)을 구현한다. 구리 기반 히트싱크가 AP 전체를 덮어 효율적인 열 방출을 돕는다.

엑시노스 2600은 AP 일부만 히트싱크와 닿는 구조였으나, 엑시노스 2700은 AP 전면에 히트패스를 배치해 고부하 작업 안정성을 강화했다. 메모리는 차세대 LPDDR6를 지원해 최대 14.4Gbps 처리 속도를 내고, 저장장치는 UFS 5.0을 탑재한다. 데이터 전송 속도는 30~40% 빨라진다.

그래픽처리장치(GPU)는 AMD 아키텍처 기반 Xclipse 시리즈를 계속 쓰지만, 일부 보도는 엑시노스 2800부터 자체 GPU로 바꿀 가능성을 언급했다. 엑시노스 2700의 신경처리장치(NPU) 사양과 통합 모뎀 탑재 여부는 아직 밝혀지지 않았다. 외장 모뎀은 통합 모뎀보다 효율이 낮지만 제조 공정이 단순해 수율 확보에 도움이 된다.

Wccftech는 엑시노스 2700이 퀄컴의 차세대 스냅드래곤 8 엘리트 5세대와 경쟁할 수 있는 성능을 갖췄다고 평가했다. 삼성은 그동안 플래그십 스마트폰에 퀄컴 칩을 주로 썼으나, 엑시노스 2700 출시로 퀄컴 의존도를 낮출 여지가 생겼다.

삼성은 올해 갤럭시 S26 일부 모델에 엑시노스 2600을 넣는다. 엑시노스 2600은 구리 기반 히트싱크를 AP에 바로 붙이는 시도를 했지만, 완전한 열 관리 솔루션은 아니라는 평가를 받았다. 업계에서는 엑시노스 2700이 이런 한계를 넘어 2027년 플래그십 스마트폰 시장에서 퀄컴과 본격 경쟁할 것으로 보고 있다.

다만 엑시노스 2700의 공식 발표까지 시간이 남아 최종 사양은 바뀔 수 있다. 삼성은 아직 엑시노스 2700에 대한 공식 입장을 내놓지 않았다.

박정한 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com