인텔, ASML 'High-NA EUV' 장비 추가 주문… 14A 공정 성공에 '올인'

인텔이 차세대 14A 공정 노드의 성공을 위해 ASML의 최첨단 High-NA EUV 리소그래피 장비를 2대 추가 주문한 것으로 알려졌다. 이번 전략적 투자는 최첨단 반도체 제조 기술을 활용해 TSMC와 삼성에 대한 인텔의 경쟁력을 강화하는 것을 목표로 한다고 25일(현지시각) 기술 전문 매체 트윅타운이 보도했다.
X의 제리 캐피털이 9월 24일 공개한 정보에 따르면, 인텔은 현재 ASML의 High-NA EUV 리소그래피 장비를 1대만 보유하고 있지만 차세대 14A 공정 노드를 강화하기 위해 2대의 장비를 추가로 주문했다. 이는 특히 TSMC뿐만 아니라 삼성과 같은 경쟁사들과 실리콘 패권을 놓고 경쟁하기 위한 조치로 분석된다.

인텔의 곧 출시될 14A 공정 노드는 High-NA EUV 리소그래피를 사용할 예정이며, 이는 최신 반도체 생산 기술을 기반으로 차세대 프로세서를 사내에서 제조·출하하는 반도체 파운드리 부문의 역사적인 전환점을 의미한다.

인텔이 14A 공정으로 TSMC 및 삼성의 반도체 파운드리 경쟁업체들과 고급 공정 노드 경쟁에서 성과를 낼 수 있느냐가 회사의 생존을 결정짓는 중요한 순간이기 때문에, 인텔은 현재 '올인' 상황에 놓여 있다고 평가된다.
ASML의 최첨단 High-NA EUV 리소그래피 장비는 각 장치의 비용이 약 3억 7000만 달러에 달하는 고가 장비다. 인텔은 이미 2024년 5월 ASML이 2024년에 제작할 모든 High-NA EUV 장비를 확보하기 위해 주문한 바 있다.

최근 High-NA EUV 장비 추가 주문과 함께, ASML의 이 두 대의 새로운 장비는 인텔을 세계에서 High-NA EUV 리소그래피 장비의 가장 큰 채택업체 중 하나로 만들 것으로 예상된다.

High-NA EUV 기술은 기존 EUV 대비 해상도가 크게 향상된 차세대 리소그래피 기술이다. 더 높은 수치개구(Numerical Aperture)를 통해 더 정밀한 패턴 형성이 가능하며, 이는 더 미세한 공정 기술 구현에 필수적이다.

인텔의 14A 공정은 2세대 리본FET 기술을 적용하고 와트당 성능을 15-20% 향상시킬 것으로 예상된다. 이는 현재 파운드리 시장을 주도하고 있는 TSMC의 최신 공정 기술에 대응하기 위한 핵심 전략이다.
반도체 업계에서 EUV 리소그래피 기술은 7nm 이하 미세 공정 구현에 필수적인 기술로 평가받고 있다. 특히 High-NA EUV는 3nm 이하 차세대 공정에서 경쟁력을 확보하는 데 결정적 역할을 할 것으로 전망된다.

인텔의 이번 투자는 단순히 장비 도입을 넘어 파운드리 사업에서의 기술 경쟁력 확보를 위한 전략적 선택으로 해석된다. 인텔은 자사 제품뿐만 아니라 외부 고객을 위한 위탁 생산에서도 TSMC와 삼성에 맞서기 위해 최첨단 기술 확보에 집중하고 있다.

업계 전문가들은 인텔의 대규모 High-NA EUV 장비 투자가 향후 반도체 파운드리 시장의 판도 변화를 가져올 수 있는 중요한 변수가 될 것으로 보고 있다. 특히 AI 반도체와 같은 고성능 칩 제조에서 High-NA EUV 기술의 중요성이 더욱 커질 것으로 예상된다.

ASML은 현재 High-NA EUV 장비의 유일한 공급업체로서 전 세계 주요 반도체 제조업체들의 치열한 경쟁 속에서 핵심 역할을 하고 있다. 인텔의 적극적인 장비 확보는 이러한 기술 경쟁에서 뒤처지지 않으려는 의지를 보여준다.

신민철 글로벌이코노믹 기자 shincm@g-enews.com