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중국 YMTC, 세계 최고 294층 낸드플래시 양산 성공

삼성전자 286층 개발 진행, SK하이닉스 2024년 중반까지 321층 출시
컴퓨터의 회로 기판에 반도체 칩이 보인다.   사진=로이터이미지 확대보기
컴퓨터의 회로 기판에 반도체 칩이 보인다. 사진=로이터

중국 양쯔메모리테크놀로지스(YMTC)가 세계 최고층인 294층 낸드플래시 메모리를 양산하며 기술 주도권 확보에 나섰다.

1일 외신에 따르면 반도체 분석기관 테크인사이츠는 지난 달 30일(현지 시각) YMTC의 자회사 치타이(ZhiTai)가 294층 메모리를 탑재한 TiPro9000 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 중국 시장에 출시했다고 발표했다. 이는 차세대 'X태킹(Xtacking) 4.0' 기술을 적용한 첫 상용 제품이다.

X태킹 기술의 핵심은 메모리 셀과 주변 회로를 각각 다른 웨이퍼에서 제작한 뒤 고정밀 웨이퍼 본딩으로 결합하는 방식이라고 사우스차이나모닝포스트는 보도했다. 이를 통해 두 부분을 독립적으로 최적화할 수 있어 개발 기간 단축과 성능 향상을 동시에 이룰 수 있다. X태킹 4.0 기술은 메모리 셀을 150층과 144층으로 나눠 제작한 뒤 하이브리드 본딩으로 결합하는 혁신적 방식으로, 비트 밀도를 높이고 생산 효율을 개선할 수 있다. 이는 기존 3D 낸드플래시 기술과 차별화된 접근이다.

테크인사이츠의 분석 보고서에 따르면, 이 제품의 실제 데이터 저장용 활성층 수는 약 270개에 이른다. 메모리 칩 크기는 50제곱밀리미터(mm²) 미만으로, 저장 밀도는 제곱밀리미터당 20.5기가비트를 기록했다.

특히 이번 제품은 3비트 저장 방식인 삼중레벨셀(TLC)을 채택했음에도, 기존 4비트 저장 사중레벨셀(QLC) 제품(232층, 19.8기가비트/mm²)보다 높은 저장 밀도를 구현했다고 테크인사이츠는 설명했다.

반도체 시장조사기관 IC인사이츠의 짐 하나디 수석연구원은 2월 1일 "YMTC가 메모리 칩과 제어 로직을 분리 제작 후 결합하는 X태킹 기술로 혁신을 이뤄냈다"며 "150층과 144층으로 구성된 이중 구조가 생산 효율을 높이는 핵심"이라고 분석했다.

글로벌 경쟁사들도 기술 추격에 나섰다. 삼성전자는 286층 제품 개발을 진행 중이며, SK하이닉스는 2024년 중반까지 321층 제품 출시를 목표로 잡았다고 각사 관계자들이 밝혔다.

반도체 시장조사업체 트렌드포스의 왕통 수석 애널리스트는 2월 1일 보고서에서 "YMTC는 미국의 제재로 네덜란드 ASML의 첨단 노광 장비와 설계 도구 사용이 제한됐음에도 기술 혁신을 이뤄냈다"며 "이는 중국의 독자 기술 개발 노력이 결실을 맺고 있음을 보여준다"고 평가했다.


박정한 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com
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