- 젠슨 황 3~4년 내 개발 전망 대 UBS 이머전 DUV 2~5년·EUV 10년 난망 진단
- 상하이 위량성 2026년 DUV 12대 목표… 핵심 렌즈·광원은 여전히 해외 의존
- 삼성전자·SK하이닉스 레거시 단가 하락 방어와 첨단 EUV 초격차 유지가 핵심 과제
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이미지 확대보기엔비디아 젠슨 황 최고경영자가 팟캐스트 인터뷰에서 중국이 대량 제조 역량을 앞세워 오는 2030년까지 자체 첨단 노광장비를 개발할 수 있다고 밝혔다.
트렌드포스는 2026년 9월 17일(현지시각) 해당 소식을 전하며, 스위스 투자은행 UBS가 중국의 액침 심층 자외선(DUV) 장비 대량 생산은 2~5년 안에 달성할 가능성이 있으나 극자외선(EUV) 기술은 향후 10년 이상 확보하기 어려울 것으로 분석했다고 보도했다. 중국의 노광장비 국산화 움직임은 레거시 반도체 공급 과잉을 자극하는 동시에 삼성전자와 SK하이닉스가 주도하는 첨단 공정 가치사슬에 기술 격차 유지라는 과제를 던진다.
DUV 12대 양산 도전과 핵심 부품 한계
젠슨 황 최고경영자는 팟캐스트 '올인' 인터뷰에서 톰스하드웨어 보도 기준 중국이 3~4년 안에 자체 첨단 노광장비 시스템을 개발할 수 있다고 설명했다. 황 최고경영자는 중국의 풍부한 대량 제조 역량을 주요 근거로 들며 오는 2030년까지 기술 개발을 완료할 수 있다고 보았다.
반면 스위스 투자은행 UBS의 평가는 신중하다. 블룸버그가 인용한 UBS 분석에 따르면 중국은 액침 DUV 장비 대량 생산을 2~5년 안에 달성할 가능성이 있다. 다만 상업용 EUV 장비는 향후 10년 안에 개발하기 어려울 것으로 전망했다. UBS는 현시점 중국의 노광장비 역량을 네덜란드 에이에스엠엘(ASML)의 2004년 수준에 비견했다. ASML이 EUV 장비 대량 생산을 시작하기 약 15년 전 단계라는 분석이다.
파이낸셜타임스 보도에 따르면 화웨이는 상하이에 거점을 둔 반도체 장비 부품사 위량성(Yuliangsheng)을 지원하고 있다. 위량성은 중국산 첨단 DUV 노광장비를 공동 개발하고 있으며 2026년 말까지 12대를 생산한다는 목표를 세웠다. 해당 장비는 중국 파운드리 기업 SMIC와 화웨이 자체 생산 라인에서 시험 가동 중이다. 그러나 시제품은 투영 렌즈와 광원을 비롯한 핵심 구성품에서 여전히 해외 공급사에 의존하는 상태다.
EUV 광학계 복제 난항과 2030년 상용화 분기점
EUV 노광장비 개발은 기술 난도가 훨씬 높다. 로이터의 2025년 보도에 따르면 중국은 선전의 고보안 시설에서 EUV 시제품을 완성해 가동했다. 장비 제작에는 ASML 출신 전직 기술진이 참여했다. 공장 한 층을 채울 규모의 이 장비는 EUV 광원 생성에는 도달했으나 아직 작동 가능한 반도체 칩은 생산하지 못했다.
주요 기술 난제 가운데 하나는 고정밀 광학계 확보다. 로이터는 중국 연구진이 독일 칼 자이즈가 ASML에 공급하는 광학 시스템을 모방하는 과정에서 한계에 직면했다고 전했다. 로이터 보도에 따르면 중국 정부는 해당 시스템을 기반으로 2028년까지 작동하는 칩을 생산하겠다는 계획을 세웠다. 반면 프로젝트에 정통한 소식통들은 상용 칩 생산에 도달하는 현실적인 시점을 2030년으로 평가한다.
특허 출원 지표에서는 기술 축적이 확인된다. UBS는 중국이 광원과 레이저 하위 시스템을 중심으로 노광 기술 특허 출원을 늘려가고 있어 장기적인 기술 축적 과정을 밟아가는 상태라고 진단했다.
한국 반도체 가치사슬 파급과 향후 분수령
중국의 DUV 노광장비 자립화는 한국 반도체 기업의 레거시 라인에 영향을 미칠 수 있다.
위량성이 계획대로 2026년 말까지 DUV 12대를 출하하고 SMIC가 이를 생산라인에 배치할 경우 중국의 28나노미터 이상 성숙 공정 칩 자급률은 가파르게 상승한다.
삼성전자와 SK하이닉스는 중국 현지 생산 공장을 운영하며 범용 메모리와 파운드리 사업을 진행하고 있어, 중국산 저가 레거시 칩 공급이 늘어나면 해당 제품군의 단가 하락 압력이 가중된다. 두 회사는 중국 내 장비 도입 변화에 따른 공장별 실적 변동 수치를 외부에 별도로 공개하지 않았다.
첨단 공정 영역에서는 당분간 기술 격차가 유지된다. 7나노미터 이하 첨단 파운드리와 고대역폭 메모리(HBM) 양산에는 ASML의 극자외선 장비가 필수다. 중국이 광학계 복제 한계로 2030년까지 상용 EUV 칩 생산에 도달하지 못할 경우 첨단 메모리와 모바일 프로세서 분야에서 한국 기업이 확보한 상대적 경쟁 우위는 지켜진다.
향후 공급망 재편의 실질적인 분수령은 2026년 말 위량성의 DUV 12대 실제 양산 여부와 미국의 추가 부품 통제 강도다. 미국과 동맹국이 광원과 렌즈를 포함한 해외 핵심 부품의 중국 유입을 차단할 경우 위량성의 생산 일정은 지연을 피하기 어렵다.
중국의 성숙 공정 칩 물량 공세 속도와 한국 반도체 기업의 첨단 EUV 미세공정 초격차 방어가 향후 반도체 패권 구도를 가르는 결정적 기준이 된다.
김주원 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com













