HBM과 LPDDR개발 주도한 공로 인정

과학기술정보통신부와 한국산업기술진흥협회가 수여하는 엔지니어상은 산업 현장에서 탁월한 연구개발 성과를 이뤄낸 엔지니어에게 수여되는 상이다. IT 엔지니어 분야에서 수상하게 된 손 팀장은 AI 시대를 이끌어가는 핵심 반도체인 고대역폭메모리(HBM)과 모바일용 저전력 D램인 저전력D램(LPDDR)의 개발을 주도한 공로를 인정받았다.
특히 LPDDR5 개발 과정에서는 D램에 하이케이메탈게이트(HKMG) 공정을 성공적으로 적용해 업계의 주목을 받기도 했다. 이 기술은 기존 대비 성능과 전력 효율을 동시에 개선할 수 있는 공정으로 SK하이닉스 메모리 제품의 경쟁력을 획기적으로 끌어올리는 데 이바지했다.
손 팀장은 "LPDDR과 HBM은 단순히 성능만 높인다고 되는 것이 아니라, 저전력, 신뢰성, 양산성까지 동시에 확보해야 했던 어려운 도전이었다"면서 "새로운 시도를 두려워하지 않고 도전한 덕분에 결국 최고의 경쟁력을 확보할 수 있었다"고 회상했다.
이어 "우리는 지금 AI 시대로 전환하는 중대한 시점에 있다"면서 "자신이 만든 기술이 세상을 바꿀 수 있다는 확신을 갖고, 패기를 실천하길 바란다”고 당부했다.
장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com