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美 상무장관 "TSMC, 애리조나서 4나노 칩 생산 개시"

"미국 땅에서 4나노 첫 생산" 의미 부여
조 바이든 미국 대통령(왼쪽에서 두번째)이 애리조나주 피닉스 TSMC  반도체 제조시설(팹) 1단계 공사 현장을 방문한 자리에서 C. C. 웨이 TSMC 최고경영자(CEO)와 마크 리우 TSMC 의장과 함께 걷고 있다. 사진=로이터/뉴스1이미지 확대보기
조 바이든 미국 대통령(왼쪽에서 두번째)이 애리조나주 피닉스 TSMC 반도체 제조시설(팹) 1단계 공사 현장을 방문한 자리에서 C. C. 웨이 TSMC 최고경영자(CEO)와 마크 리우 TSMC 의장과 함께 걷고 있다. 사진=로이터/뉴스1
대만의 반도체 기업 TSMC가 미국 애리조나 주에 세운 생산시설에서 4나노미터 칩을 만들고 있는 것으로 전해졌다.

11일 로이터통신에 따르면 지나 레이몬도 미국 상무부 장관은 TSMC가 미국 고객사를 위해 발전된 형태의 4나노 반도체 칩 생산을 애리조나에서 최근 시작했다고 로이터에 밝혔다. 미 상무부는 지난해 11월 애리조나주 피닉스 지역에 반도체 생산 시설을 짓는 TSMC에 보조금 66억달러(원화 9조7000억여원)를 지급하기로 확정한 바 있다.

레이몬도 장관은 로이터에 TSMC가 애리조나 주 공장에서 생산을 몇 주 전 시작했다고 언급하며 "미국 역사상 처음으로, 우리는 미국 땅에서 흐름에서 앞서나가는 4나노미터 칩을 만들고 있다. 이는 생산량과 질 면에서 대만 수준에 준한다"고 의미를 부여했다. 아울러 "이는 우리 역사상에서 전례가 없던 정말 중대한 일"이라고 강조했다.

TSMC 대변인은 10일(현지시각) 로이터의 논평 요청을 거절했다.
TSMC는 4월 미국에 대한 투자 계획을 250억달러에서 650억달러 규모로 늘리고, 애리조나에 세 번째 생산 시설(팹)을 2030년까지 세우기로 미국과 합의했다.
앞으로 TSMC는 2028년 생산을 개시할 것으로 전망되는 두 번째 애리조나 팹에서 세계 최고 수준의 2나노미터 칩을 만들 계획이다. TSMC는 자사가 가진 최고 수준의 반도체 칩 제조 공정 'A16'을 애리조나 공장에 적용하는 데도 동의했다.


정승현 글로벌이코노믹 기자 jrn72benec@g-enews.com
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