中 메모리가 애플 인증을 노리는 이유… 글로벌 판로 뚫기 위한 포석

중국 주요 메모리 반도체 기업인 창신메모리(CXMT)와 양쯔메모리(YMTC)가 2026년 8월 글로벌 정보기술 기업 애플의 부품 품질 인증 획득을 추진하고 나섰다.
미국 기술 전문지 Wccftech는 지난 25일(현지시각) 대만 디지타임스를 인용해 양사가 대규모 납품보다 글로벌 규격 충족을 입증하는 신뢰성 확보를 목적으로 애플 공급망 진입을 타진 중이라고 보도했다. 중국 메모리의 이러한 움직임은 삼성전자와 SK하이닉스가 주도해 온 범용 D램 시장의 판가 방어선을 압박하는 요인으로 풀이된다.


창신메모리는 대규모 자본을 투입해 생산 능력을 확장하고 있다. 기업공개(IPO)를 통해 666억 위안(13조 7196억 원)을 조달한 창신메모리는 2026년 말까지 웨이퍼 생산 능력을 기존 월 20만 장에서 월 30만 장으로 늘린다.
여기에는 월 5만 장 규모의 고대역폭메모리(HBM) 전용 생산 라인이 포함된다. 상하이와 허페이에 건설 중인 신규 공장 두 곳이 완공되면 총생산능력은 월 60만 장까지 확대된다. 업계는 2030년 창신메모리의 출하량이 미국 마이크론을 넘어설 가능성에 주목한다.

낸드플래시 제조사인 양쯔메모리도 연내 330억 위안(6조 7980억 원) 규모의 상장을 추진하며 D램 시장 진입을 서두르고 있다. 당초 2027년 2분기로 예정했던 신규 D램 팹 우한 3단계 공장의 가동 시점을 2026년 4분기로 앞당겼다. 해당 공장은 초기 월 5만 장으로 가동을 시작해 향후 월 10만 장까지 생산 규모를 확대하며, 초기 물량의 20.0%는 모바일용 저전력 D램(LPDDR) 시험 생산에 배정된다.

양사는 북미 클라우드 서비스 기업들과 제품 검증을 진행하는 한편 제3자 모듈사를 통해 기업용 SSD 시장을 우회 공략하고 있다. 디지타임스 분석에 따르면 애플의 중국 내 수요를 충족하기 위해 창신메모리 연말 생산능력의 약 6.6%가 필요하지만, 창신메모리의 2027년 생산능력은 가동률 95.0% 수준으로 예약이 완료돼 단기 공급 여력은 제한적이라는 평가다.


중국 정부는 미국의 반도체 장비 통제에 대응해 핵심 장비 자립화에 속도를 내고 있다. 스페인 기술 매체 사타카(Xataka)는 지난 25일 중국이 첨단 반도체 공급 부족을 해소하기 위한 중장기 연구개발을 진행 중이라고 보도했다.
화웨이가 프로젝트 총괄을 맡고 하르빈공업대학, 장춘광학연구소, 상하이마이크로일렉트로닉스(SMEE), 시캐리어(SiCarrier) 등이 협력해 선전의 고보안 연구소에서 극자외선(EUV) 노광장비 프로토타입을 가동하고 있다. 중국 정부는 오는 2028년 장비 실전 투입을 목표로 설정했으나, 시장 분석가들은 2030년을 보다 현실적인 상용화 시점으로 평가한다.

글로벌 투자은행 골드만삭스 분석에 따르면 7나노미터(nm) 이하 첨단 공정에서 중국의 웨이퍼 공급량은 2025년부터 2035년까지 연평균 46.0%씩 성장할 전망이다. 이에 따라 2025년 기준 92.0%에 달했던 첨단 반도체 부족률은 2035년 34.0%로 축소되며, 자급률은 기존 8.0%에서 66.0%로 상승한다.

2035년 중국의 첨단 노드 생산량은 월 41만 장에 이르지만 자국 내 예상 수요인 61만 9000장에는 미치지 못할 것으로 관측된다. 자체 개발한 노광장비의 양산 수율 확보가 공급 독립의 핵심 변수가 될 전망이다.

중국 메모리 기업들의 설비 확장과 글로벌 인증 시도는 한국 반도체 산업 생태계에 직접적인 영향을 미친다. 창신메모리와 양쯔메모리가 북미 시장에서 품질 공인을 확보할 경우, 한국 기업들이 주도해 온 범용 DDR4 및 LPDDR4X 시장에서 중저가 공급 경쟁이 본격화된다. 이는 삼성전자와 SK하이닉스의 레거시 메모리 고정거래가격(ASP) 하락을 유발해 범용 제품군의 수익성을 압박하는 경로로 작용한다.

한국 반도체 공급망의 재편 속도 역시 빨라질 전망이다. 레거시 D램 패키징과 테스트를 담당하는 한국 외주반도체패키지테스트(OSAT) 분야는 중국산 물량 확대로 인한 단가 인하 요구에 직면할 수 있다.

반면 DDR5, LPDDR5X 및 HBM3E·HBM4 등 선단 공정 중심의 소부장 협력사들은 한국 대기업의 프리미엄 제품 전환에 힘입어 사업 기회를 넓힐 수 있다. 중국의 추격을 따돌리기 위해 한국 메모리 제조사들이 범용 생산 라인을 선단 공정으로 전환하는 속도를 높여야 한다는 분석이 나온다.

다만 중국의 시장 잠식 속도를 늦출 수 있는 기술적 한계와 거시 리스크도 뚜렷하다. 심자외선(DUV) 멀티 패터닝 기술은 미세화가 진행될수록 공정 수가 급증해 수율 저하와 제조 원가 상승을 피하기 어렵다. 여기에 미국 정부의 추가적인 반도체 장비 통제 조치와 글로벌 경기 둔화에 따른 IT 세트 수요 부진이 겹칠 경우 중국 기업들의 대규모 설비 투자가 조기에 채산성 한계에 부딪힐 가능성도 존재한다.

향후 메모리 시장은 고성능 AI 반도체와 범용 레거시 제품으로 시장 양극화가 심화될 전망이다. 중국이 거대한 내수 시장과 정부 지원을 발판으로 레거시 영역의 자급화를 추진하는 만큼, 한국 반도체 산업은 차세대 고부가 메모리 초격차를 유지하며 수익성 방어선을 구축하는 것이 당면 과제로 꼽힌다.


김주원 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com