중국 CXMT, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 주도 HBM 기술 격차 여전

중국 메모리 반도체 제조업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 상하이 주식시장에 성공적으로 데뷔하며 글로벌 메모리 대기업들과의 경쟁을 위한 발판을 마련했다. 그러나 전문가들은 투자자들의 열광적인 반응과 별개로, 첨단 메모리 기술 격차를 해소할 수 있느냐가 향후 글로벌 시장 선두 기업들에 도전할 수 있을지를 결정할 것이라고 진단했다.
31일(현지시각) 경제방송 CNBC에 따르면 상장 첫날 CXMT 주가가 거의 466% 급등하면서, 중국 정부가 수년간 추진해 온 자립형 반도체 산업 구축 노력이 결실을 맺기 시작했다는 낙관론이 커졌다. 그러나 시장의 관심은 이제 CXMT가 글로벌 선두 주자인 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론과의 기술 격차를 좁힐 수 있을지로 쏠리고 있다. 특히 인공지능(AI) 붐을 이끄는 핵심 기술인 고대역폭 메모리(HBM) 분야에서 이들 3사는 이미 압도적인 선두 자리를 확보한 상태다.

CNBC에 따르면 MST 파이낸셜의 데이비드 깁슨 수석 분석가는 "수요가 공급을 계속해서 초과하는 상황이 지속되는 만큼, 상장 자체가 3대 메이저 업체나 업계 전체의 전망을 바꾸지는 않을 것"이라고 설명했다. 깁슨 분석가는 중국 내수 수요가 CXMT의 생산을 지속적으로 뒷받침하겠지만, 첨단 칩 제조에 필수적인 최신 극자외선(EUV) 노광장비를 확보하지 못해 큰 어려움에 직면해 있다고 지적했다. 해당 장비는 미국 주도의 수출 규제로 인해 중국 공급이 사실상 금지되어 있다. EUV 장비 없이는 동일한 양의 메모리를 생산하는 데 경쟁사보다 약 30% 더 많은 웨이퍼가 필요하며, 이는 단기간에 극복하기 어려운 한계로 꼽힌다.

카운터포인트 리서치의 MS 황 연구 디렉터는 "CXMT는 2026년 말부터 HBM 생산을 목표로 하고 있으며, 상하이에 새로 건설된 공장은 HBM을 포함한 AI 칩 생산에 최적화되어 있다"고 밝혔다. 다만 그는 "초기 제품은 성능에 따라 HBM3 또는 HBM3E가 될 가능성이 높으며, 이는 이미 HBM4 및 HBM4E 단계로 나아가고 있는 경쟁사들에 비해 1~2세대 뒤처진 수준"이라고 덧붙였다. 실제로 글로벌 D램 시장 1위인 삼성전자는 2분기 실적 발표를 통해 HBM4 판매를 확대하고 업계 최초로 HBM4E 샘플을 주요 고객사에 출하했다고 발표했다.
깁슨 분석가는 "CXMT가 적층형 D램인 HBM을 생산할 수는 있겠지만, 수율이 낮아 생산량은 적을 것"이라며 고용량·고속 성능을 원하는 시장에서 경쟁사 대비 열세에 있다고 지적했다. 다만 CXMT가 전 세계 D램 시장 점유율을 지속적으로 확대할 가능성은 높으며, 이러한 성장의 대부분은 텐센트, 바이트댄스, 알리바바 및 중국 로컬 스마트폰 제조업체 등 내수 고객으로부터 나올 것으로 전망했다.

카운터포인트 리서치에 따르면 글로벌 D램 시장 점유율은 삼성전자가 38%로 선두를 유지하고 있으며, SK하이닉스(29%), 마이크론(22%)이 뒤를 잇고 있다. CXMT는 8%의 점유율을 기록 중이다.

트렌드포스의 엘리 왕 애널리스트는 CXMT가 현재 여러 중국 스마트폰 브랜드에 메모리 칩을 공급하고 있으며 PC 및 서버 시장에서도 입지를 넓히고 있다고 밝혔다. 그러나 제품 포트폴리오는 여전히 주류 및 중급 시장에 집중되어 있어 고용량 서버 및 AI 서버용 고급 메모리 분야에서의 역량은 상대적으로 제한적이라고 분석했다.

황 디렉터는 CXMT의 미래에 대해 "기술 격차를 좁혀가는 낙관론과 장비 규제 및 HBM 기술 장벽을 극복하지 못하는 비관론이 공존한다"고 진단했다. 왕 애널리스트 역시 "현재 개발 및 생산 진행 상황을 고려할 때, AI 기반 메모리 수요가 정상화되기 전에 CXMT가 격차를 크게 줄이기는 쉽지 않을 것"이라며 여전히 과제가 산적해 있음을 지적했다.

이인수 글로벌이코노믹 기자 tjlee@g-enews.com