中 CXMT "초미세화 장벽 돌파" 자신감…韓 업계는 우려 단계 아니란 판단

중국 최대 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 초미세 공정 기술에 대한 자신감을 드러냈다. 다만 국내 업계는 아직 우려할 단계는 아니라는 판단이다.
21일 업계에 따르면 CXMT는 지난 19일(현지 시각) 중국 안후이성 허페이에서 임시 주주총회를 열고 공정 혁신을 통해 초미세화 과정의 기술적 한계를 넘어서겠다는 계획을 밝혔다. 이날 주총에서는 총 349억 위안(약 7조 원) 규모의 첨단 D램 연구개발(R&D)과 후공정(테스트·모듈 조립) 투자안도 통과됐다. 회사는 인공지능(AI) 수요 확대로 2025년부터 2030년까지 D램 시장이 연평균 38.4% 성장할 것으로 내다봤다.

CXMT는 최근 제품 경쟁력도 끌어올리고 있다. 지난달 5세대 D램 공정 양산에 들어갔고, 최신 모바일 메모리인 저전력 D램(LPDDR6)도 중국 스마트폰에 탑재됐다고 밝혔다. 올해 1~3분기 누적 매출은 2650억~2700억 위안(약 52조6000억~53조6000억 원)으로 지난해 같은 기간보다 7배 넘게 늘어날 것으로 예상된다.

차세대 D램 구조인 4F² 개발도 추진하고 있다. 4F²는 셀 속 트랜지스터를 세로로 세워 같은 면적에 더 많은 셀을 넣는 기술로, 기존 6F² 구조보다 셀 면적을 이론적으로 약 3분의 1 줄일 수 있다. CXMT는 이 구조를 적용한 서버용 D램 제품을 연내 출시하겠다고 밝혔지만 구체적인 사양과 출시일은 공개하지 않았다.
4F²는 국내 업체들도 준비해온 기술이다. SK하이닉스는 지난해 6월 국제 반도체 학회에서 10나노 이하 공정에 4F² 기술을 적용하는 차세대 D램 로드맵을 공개했다. 삼성전자는 첫 10나노 미만 D램에 4F² 구조를 적용해 2028년 양산을 목표로 하는 것으로 알려졌다. 기존 방식으로도 미세화가 가능한 만큼 적용 시점을 다음 세대 공정으로 잡은 것이다.

공정 여건에는 차이가 있다. CXMT는 수출 규제로 회로를 정밀하게 새기는 극자외선(EUV) 노광장비를 들여올 수 없다. 이 때문에 패턴을 여러 차례 나눠 그려 선폭을 줄이는 4중 자기정렬 패터닝(SAQP) 방식으로 미세화를 이어가고 있다. 반도체 장비업계 관계자는 "구형 장비만 도입할 수 있다는 점이 큰 병목"이라고 말했다.

EUV 장비를 갖춘 국내 업체들과의 공정 격차를 감안하면 당분간 시장 판도 변화는 제한적일 것이라는 게 업계 시각이다. 국내 메모리업계 관계자는 "CXMT의 4F² 개발 속도가 빠른 건 맞지만 양산이 되는지, 수율이 얼마나 나오는지를 지켜봐야 한다"면서 "최신 기술인 건 분명하지만 당장 점유율을 논할 정도는 아니다"라고 말했다.


유덕규 글로벌이코노믹 기자 udeok@g-enews.com