“HBM만큼 높아진 D램 중요성”…삼성·SK하닉, LPDDR6 경쟁 ‘후끈’

반도체 분야 1위 자리를 놓고 고대역폭메모리(HBM)에 이어 범용 D램 분야에서도 경쟁이 본격화되고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스는 대표 저전력 D램 제품인 LPDDR6를 잇달아 선보이는 등 앞선 기술력을 바탕으로 D램 시장 공략을 강화한다는 방침이다.
15일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 LPDDR6의 전략을 다르게 운영하고 있다. 삼성전자는 지난해 11월 세계 최초로 LPDDR6를 개발하고 국제전자제품박람회(CES)에서 혁신상을 수상했다. SK하이닉스도 10일 LPDDR6를 공개했다.

LPDDR이란 전력 소모를 최소화한 D램 제품을 말한다. 전력 사용량이 낮아 스마트폰을 비롯해 태블릿, 노트북 등 다양한 IT기기에 탑재되지만 고성능 제품보다는 성능 측면에서 다소 불리하다. 전력소모량이 적은만큼 발열 등 성능유지면에서 유리하다는 장점도 가지고 있다. 1-2-3-4-4X-5-5X-6 순으로 개발돼 왔다.


삼성전자와 SK하이닉스가 선보인 LPDDR6의 가장 큰 차이점은 서로 다른 공정을 적용했다는 점이다. 삼성전자의 LPDDR6는 10나노(nm, 10억분의 1m) 5세대(1b) 공정을 적용한 반면 SK하이닉스는 한세대 앞선 10나노 6세대(1c) 공정 기술을 활용했다.

통상 앞선 세대 기술을 사용하게 되면 성능향상과 전력 사용 측면에서 유리하다. 다만 양사가 공개한 동작속도는 10.7Gbps(초당 10.7기가비트)로 동일하다. 전력 효율도 전세대 대비 삼성전자가 21%, SK하이닉스가 20% 향상됐다고 밝혀 비슷한 수준이다.

이는 양사가 경쟁을 벌이고 있는 6세대 고대역폭메모리(HBM4)와는 정반대 양상이다. 삼성전자는 10나노 1c공정을 적용해 HBM4를 개발한 반면 SK하이닉스는 10나노 1b공정에서 제품을 개발했다.

전세대 기술로 한세대 앞선 공정을 적용한 제품과 동일한 성능을 구현했다는 것은 그만큼 제품에 대한 기술 노하우가 축척되어 있다는 것을 의미한다. 삼성전자는 익숙한 공정을 활용한 만큼 빠른 출시를 노렸고 SK하이닉스는 앞선 공정을 적용한 만큼 추가성능 확대나 전력 효율 극대화를 노린 것으로 짐작된다. 삼성전자는 범용 D램에서, SK하이닉스는 HBM에서 기술 자신감을 드러낸 것으로도 풀이된다.
업계 관계자는 “LPDDR은 활용처가 빠르게 확대되면서 삼성전자와 SK하이닉스가 집중하고 있는 주요 분야”라며 “최근에는 전력관리 측면에서 유리해 데이터센터 등 AI쪽에서도 수요가 늘고 있다”고 말했다.


장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com