삼성전자 평택 P4 ‘DRAM 전초기지’ 대전환… HBM4 주도권 장악 가시화

삼성전자가 인공지능(AI) 반도체 시장의 핵심인 고대역폭메모리(HBM) 주도권을 탈환하기 위해 평택 4공장(P4) 건설과 설비투자를 당초 계획보다 2개월 앞당겨 집행한다.
9일(현지시각) 디지타임즈(DIGITIMES) 보도와 업계에 따르면, 삼성전자는 지난 3월 평택 P4 공장의 2단계(Ph2)와 4단계(Ph4) 설비 구축을 위한 전공정 장비 구매주문(PO)을 발주했다. 이는 AI 수요 폭증에 대응하기 위해 6세대 10nm급(1c) DRAM 생산 능력을 조기에 확보하려는 전략이다.

이번 결정으로 삼성전자의 1c DRAM 생산 능력은 오는 2026년 상반기 중 월 13만~14만 장(웨이퍼 투입 기준) 수준에 이를 전망이다. 삼성전자는 올해 말까지 기존 라인의 공정 전환과 P4 신규 투자를 마무리해 1c DRAM 생산 능력을 최대 월 20만 장 수준까지 확대한다는 복안이다. 이는 차세대 HBM4 시장에서 기술적 우위를 점하기 위한 전략적 승부수로 풀이된다.


당초 평택 P4는 DRAM, 낸드플래시, 파운드리(반도체 위탁생산)를 아우르는 복합 생산 라인으로 설계했다. 그러나 삼성전자는 급변하는 AI 메모리 시장 대응을 위해 P4 전체를 DRAM 전용 라인으로 전환하는 결단을 내렸다.

설비 투자 조기 집행을 통한 이번에 발주한 Ph4 장비는 오는 5~6월, Ph2 장비는 11월경 반입을 시작한다. 특히 Ph2의 경우 장비 발주 시점이 기존 예상보다 2개월가량 빨라졌다.

P4의 핵심 생산 제품은 1c DRAM이다. 1c DRAM은 향후 삼성전자가 선보일 HBM4의 핵심 다이(Die)로 활용되는 만큼, 이번 설비 확충은 HBM 시장의 판도를 바꿀 핵심 변수다.

Ph1과 Ph3의 투자는 이미 마무리 단계다. Ph4 장비 설치가 올여름 시작되고, Ph2 클린룸 공사가 1분기 중 착공됨에 따라 2027년 1분기에는 P4 전체가 완전 가동 체제에 들어갈 것으로 보인다.



삼성전자는 평택 신규 라인 증설에만 그치지 않고, 기존 화성 P3 라인과 17라인의 공정 전환도 병행한다. 구형 공정을 최첨단 1c 공정으로 업그레이드해 전체적인 생산 효율을 극대화한다는 전략이다.

다만, 공격적인 증설에 따른 시장의 우려도 존재한다. 반도체 업계 관계자는 “대규모 설비 투자가 단기적으로는 공급 과잉을 초래할 수 있다”며 “글로벌 경기 회복 속도와 AI 서버 투자의 지속 가능 여부가 삼성전자 실적 호전(Turnaround)의 관건이 될 것”이라고 진단했다.

실제로 삼성전자는 리스크 관리를 위해 시장 상황에 맞춰 투자 속도를 조절하는 ‘유연한 대응’ 기조를 유지하고 있다. 단순 물량 공세가 아니라 HBM4라는 고부가가치 제품에 집중함으로써 수익성을 방어하겠다는 취지다.

이번 P4 공장 완공 임박 소식은 단순히 공장 하나가 늘어나는 것 이상의 의미를 갖는다. 투자자들이 향후 주시해야 할 지표는 첫째, HBM4 양산 수율이다. 1c DRAM 기반의 HBM4가 경쟁사인 SK하이닉스 대비 어느 정도의 수율과 성능을 확보하느냐가 삼성전자 주가의 핵심 동력(Momentum)이 될 것이다.

둘째, 설비투자(CAPEX) 규모다. 2026년 확정될 삼성전자의 전체 설비투자액이 전년 대비 얼마나 증가하는지, 그리고 그것이 실제 매출 성장으로 이어지는지 확인해야 한다.

셋째, 고객사 확보 여부다. 엔비디아를 비롯한 빅테크 기업들의 HBM4 채택 여부가 공장 가동률을 결정짓는 실질적인 잣대가 될 전망이다.

삼성전자의 이번 P4 조기 승부수는 ‘기술 초격차’를 넘어 ‘공급 초격차’로 AI 메모리 시장의 주권을 다시 가져오겠다는 의지의 표현이다. 2026년 평택에서 쏟아져 나올 1c DRAM이 삼성전자의 반도체 제국을 재건할 열쇠가 될 수 있을지 시장의 눈길이 쏠리고 있다.


김주원 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com