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KAIST, 1TB 용량 메모리 기술 개발

여용준 기자

기사입력 : 2021-03-16 13:00

연구팀이 제안하는 MoS 기술의 개요. 사진=KAIST이미지 확대보기
연구팀이 제안하는 MoS 기술의 개요. 사진=KAIST
현재 상용화 되고 있는 메모리보다 저장 용량이 4배 이상 많은 영구 메모리 기술이 국내 연구진에 의해 개발됐다.

KAIST는 전기및전자공학부 정명수 교수 연구팀(컴퓨터 아키텍처 및 운영체제 연구실)이 비휘발성 메모리와 초저지연 SSD를 하나의 메모리 공간으로 통합하는 메모리-오버-스토리지(MoS) 기술 개발에 성공했다고 16일 밝혔다.
이는 기존 스토리지 기술을 재사용해 인텔 옵테인보다 메모리 슬롯당 4배 이상인 테라바이트(TB) 수준의 저장 용량을 제공하면서도 D램과 유사한 사용자 수준의 데이터 처리 속도를 성취했다.

기존 비휘발성 메모리(NVDIMM)의 경우 운영체제의 도움 없이 CPU가 직접 접근할 수 있다는 장점이 있으나 DRAM을 그대로 활용하고 배터리 크기를 무한히 키울 수 없어 대용량 데이터를 처리할 수 없다는 문제가 있다.

대안으로는 인텔 옵테인 메모리와 메모리 드라이브 기술 등이 있으나 비휘발성 메모리에 접근할 때마다 운영체제의 도움이 필요해 NVDIMM에 비해 50% 수준으로 속도가 떨어진다.

정 교수팀이 제안한 MoS 기술은 초저지연 SSD를 주 메모리로, NVDIMM을 캐시메모리로 활용해 SSD의 대용량의 저장 공간을 사용자에게 메모리로 사용하게 해줌과 동시에 NVDIMM 단독 사용 시와 유사한 성능을 얻어 미래 영구 메모리 기술들이 가지는 한계점들을 전면 개선했다.
정명수 교수는 "미래 영구 메모리 기술은 일부 해외 유수 기업이 주도하고 있지만, 이번 연구성과를 기반으로 국내 기술과 기존 스토리 및 메모리 기술을 통해 관련 시장에서 우위를 선점할 수 있는 가능성을 열었다는 점에서 의미가 있다"고 강조했다.

한편 이번 연구는 올해 6월에 열릴 컴퓨터 구조 분야 최우수 학술대회인 '이스카(International Symposium on Computer Architecture, ISCA), 2021'에 관련 논문으로 발표될 예정이다.

이번 연구는 과학기술정보통신부와 한국연구재단이 추진하는 우수신진(중견연계) 사업, KAIST 정착연구사업 등의 지원을 받아 수행됐다.


여용준 글로벌이코노믹 기자 dd0930@g-enews.com
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